先进的研发--无破坏、灵活、快速
先进的微波系统带来高灵敏度
为您的所有材料量身定制激光和光学集成系统
同步电阻率测量和其他选项
Materials
MDPmap 配备了多种先进的激光器，可对几乎所有类型的半导体进行全面的电学表征。
Si SiC Ge GaAs Ga₂O₃ InP Diamond and more
Features & Benefits
355-1550 纳米
可用波长
10 ns
时间分辨率
> 99 %
可重复性
电阻率
0.3-5
欧姆·厘米
用于研发或生产监控的灵活绘图工具
MDPmap 是一款专为离线生产控制或研发设计的紧凑型台式非接触式电学表征仪器，可在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）条件下，覆盖宽注入范围，测量载流子寿命、光导电率、电阻率及缺陷信息等参数。 自动样品识别和参数设置功能使其能够轻松适应各种不同的样品，包括经过不同制备阶段的外延层和晶圆，从原生晶圆到金属化率高达 95% 的晶圆均可涵盖。
MDPmap 的主要优势在于其高度的灵活性，例如可集成多达四台激光器，既可用于从超低注入到高注入的注入水平依赖型寿命测量，也可通过使用不同激光波长提取深度信息。该设备包含偏置光功能，并提供 μ-PCD 或稳态注入条件选项。 用户可自定义不同映射的计算方案，并能导出原始数据以供进一步分析。针对标准计量任务，预设的标准程序支持一键完成常规测量。
Lifetime map of passivated multicrystalline silicon
Iron contamination map of multicrystalline silicon
Bor oxygen map of mono silicon
Trap density map of mono silicon
Applications
技术规格
| 样品尺寸 | 直径最大 300 毫米（标准），直径最大 450 毫米（可定制），最小尺寸 5 × 5 毫米 |
|---|---|
| 寿命范围 | 20 纳秒至数毫秒 |
| 电阻率 | 0.2 - >10³ 欧姆·厘米，p/n |
| 材料 | 硅片、外延层、部分或完全加工过的晶圆、化合物半导体及其他 |
| 可测量的特性 | 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS)、光电导率 |
| 激发 | 可在 355 nm 至 1480 nm 范围内选择最多四个不同波长。980 nm（默认） |
| 尺寸 | 680 x 380 x 450 毫米，重量：约 65 公斤 |
| 电源 | 100 - 250V，50/60 Hz，5 A |
