借助 MDPmap，不仅可以测量受注入电流影响的寿命曲线，还能在非常宽的注入电流范围内测量光导电曲线。
在 MDPmap 和 MDPingot 中，最多可集成 4 台不同的激光器，因此不仅能够测量受注入电流影响的寿命曲线，还能在非常宽的注入电流范围内测量光导电曲线。 图 1 展示了不同已知寿命测量方法的典型注入范围的比较。由于其非凡的灵敏度，MDPmap 和 MDPingot 能够测量超过七个数量级的注入。通过偏光和反射测量，精度得到了显著提高。
如图 2 所示，在 SiNx 钝化多晶硅 (mc-Si) 晶圆上的 2 个不同点位上，仅使用 MDPmap 一种方法即可覆盖整个关键注入范围。此前，必须使用多种不同方法，而这些方法往往无法相互比较。 借助 MDP，可以轻松获取关键的注入依赖寿命曲线。
如需了解更多信息，请参阅：
[1] S. Rein，《寿命光谱学——一种用于光伏应用的硅缺陷表征方法》，第85卷（Springer出版社，柏林海德堡，2005年）
Bulklifetime versus injection for a varying symmetry factor and energy level
Fig. 1: Comparison of typical injection ranges of different measuring methods Fig. 2: injection dependent lifetime measurements on 2 different spots on a SiNx passivated mc-Si wafer
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