MDP 技术

测得的有效寿命由体寿命和表面寿命组成，其中表面寿命取决于样品的表面性质。因此，若要测量样品的体性质，必须对表面进行钝化处理。若要研究表面钝化的质量，建议使用FZ-Si晶圆，因为此时体内的复合作用可以忽略不计。 \(\cfrac{1}{\tau_{eff}} = \cfrac{1}{\tau_{bulk}} + \cfrac{1}{\tau_{surface}}\)

当半导体吸收足够能量的光时，自由电子和空穴的数量会发生变化，从而提高半导体的电导率。这种增加称为光导电性，其大小取决于过剩电子和空穴的浓度及其迁移率，可通过以下方程表示。 [1] \(\Delta\sigma = e \cdot(\mu_{n}\Delta n + \mu_{p} \Delta p)\)   [2] \(\Delta\sigma = e \cdot G\)opt…

电阻率直接取决于半导体的掺杂浓度，因此是监测掺杂分布和均匀性的有用参数。 寿命和扩散长度也取决于掺杂浓度。由于掺杂会偏移费米能级，因此在大多数情况下会增加表面自由电子再结合速率。此外，由于在高掺杂材料中奥格再结合更易发生，因此随着掺杂浓度的增加，再结合过程本身也会增强。 在我们的系统中，电阻率是通过非接触式涡流法测量的。…

迁移率是描述电子或空穴在施加电场作用下穿过材料时的漂移速度的物理量。迁移率取决于各种会使自由载流子减速的散射过程，例如与晶格的碰撞，以及在晶体缺陷和杂质处的散射。 \(\cfrac{1}{\mu} = \cfrac{1}{\mu_{lattice}} +…

缺陷的性质及其对材料质量的影响可通过三个主要参数来描述：缺陷浓度 NT, 电子和空穴的捕获截面 σn, σp, 活化能 ET, 所有这些性质均包含在我们使用的模拟模型中，除缺陷浓度外，它们均可通过温度依赖性方法MD-PICTS进行测定。

这种新型的MDP方法既适用于通过注入依赖型少数载流子寿命测量等方法进行缺陷分析，也适用于晶圆甚至整块晶圆的成像，以满足在线计量需求。 在灵敏度、分辨率和速度方面，该方法均优于其竞争对手µPCD（微波检测光导衰减）和QSSPC（准稳态光导度）。

除了MDP之外，另外两种最重要的非接触式寿命测量方法是QSSPC（准稳态光导度）和µ-PCD（微波检测光导衰减）。 目前，光伏行业面临的最大难题之一是如何使不同方法得出的偏离寿命测量结果具有可比性。借助我们创新的仿真工具，可以模拟稳态和非稳态测量，从而实现结果的比较。  

MD-PICTS 是 MDP 的改进版本，它能够对瞬态响应中的缺陷部分进行温度依赖性测量。这使得能够对缺陷进行空间分辨的表征。 与深能级瞬态光谱（DLTS）类似，该方法可测定缺陷的活化能和捕获截面。但与DLTS不同的是，该方法无需接触。这对缺陷识别和材料质量提升具有极高的价值。  

微波检测光导度用于测量样品经光照射后的光导度。通常，光的能量应高于带隙，以便产生电子和空穴。对于硅而言，这意味着应使用波长小于1100 nm的光。 若需检测表面或薄外延层，使用紫外光或蓝光可能更为有效，因为这些光在硅中的穿透深度要小得多。图1展示了硅中光穿透深度与波长的关系，可为用户提供参考，帮助其确定哪种波长最适合其应用。

借助我们先进的MDP方法，可以对各种半导体材料、器件和介电材料的电学性质及缺陷进行非接触式、无损检测。MDP是一种非接触式且无损的方法，因此无需对样品进行预处理。唯一的例外是，在研究硅样品等材料的体相性质时，建议对样品表面进行钝化处理。 无论样品形状或尺寸如何，从纳米级粉末到12英寸晶圆，均可进行测试。 显然，市场上所有半导体均可进行检测，包括各类电子级及多晶硅。得益于其高灵敏度，甚…