电阻率绘图和测量
电阻率直接取决于半导体的掺杂浓度，因此是监测掺杂分布和均匀性的有用参数。 寿命和扩散长度也取决于掺杂浓度。由于掺杂会偏移费米能级，因此在大多数情况下会增加表面自由电子再结合速率。此外，由于在高掺杂材料中奥格再结合更易发生，因此随着掺杂浓度的增加，再结合过程本身也会增强。
在我们的系统中，电阻率是通过非接触式涡流法测量的。 当样品暴露于随时间变化的磁场中时（例如，当靠近样品的线圈中流过交流电流时），会产生涡流。这会在样品内部产生电流，而这些环流产生的感应磁场会与原始磁场的变化方向相反。 样品的电导率越大，产生的电流就越大，反向磁场也就越强。换句话说，测量的就是材料中的电损耗，这与样品的电阻率直接相关。
需注意，测量结果还取决于线圈与样品之间的距离，因此也与样品的几何特征有关。
