可实现材料缺陷根源分析：无损检测、功能灵活、测量精度高
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全自动变温测量
材料
MDpicts 能够对几乎所有半导体进行电学特性表征
特性与优势
355-1550 nm
可用波长
10 ns
时间分辨率
30-300 K
温度范围
重复性
< 60 min
测量时间
可通过阿伦尼乌斯曲线图（图 3）的斜率计算得出激活能。
借助市面上新型商用 MD-PICTS 检测设备，可在 20K～500K 温区内完成光电导瞬态变温特性测试。以往，已有硅（Si）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、碳化硅（SiC）以及许多其他半导体材料已成功通过该方法进行了研究。
图 4：不同热处理直拉硅片的 MD-PICTS 谱图示例
Fig. 1: Temperature dependent carrier emission transients
Fig. 2: Box car evaluation with varying ID
Fig. 3: Arrhenius plot
研究半导体内部缺陷时，变温检测手段（如深能级瞬态谱 DLTS）已得到广泛应用。这类传统检测方法通常需要在样品表面制备电极，退火工艺往往会改变样品原有特性；此外，多数半导体材料制备欧姆电极本身也存在较高操作难度。而 MD-PICTS 属于无损、非接触式检测手段，可高精度测定缺陷的激活能与俘获截面。
在 MD-PICTS 测量中，利用谐振微波腔测量样品经光照后的光电导率。为了确定活化能，通过窗口分析测定光电导率瞬态随温度的变化，该方法也用于 DLTS 测量（图 1）。
图 2 显示了由窗口分析得出的所谓 MD-PICTS 光谱。该光谱中的每个峰都代表样品中的特定缺陷。
该峰值极点的温度偏移会根据以下发射速率公式绘制在阿伦尼乌斯图上：
\(e_{n} = \gamma \sigma_{n}T^2e^{-\frac{E_{A}}{kT}}\)
