可对材料缺陷进行根本原因分析：无破坏、灵活而精确
使用斯特林冷却器冷却，无需处理液氮
为您的所有材料量身定制激光和光学集成系统
全自动温度测量
Materials
MDpicts 能够对几乎所有半导体进行电学特性表征
Features & Benefits
355-1550 纳米
可用波长
10 ns
时间分辨率
30-300 K
温度范围
重复
< 60 分钟
测量时间
根据阿伦尼乌斯图（图3）的斜率，可以确定活化能。
借助新型的商用MD-PICTS设备，可在20…500 K的温度范围内测量光导电瞬态的温度依赖性。过去，硅（Si）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、碳化硅（SiC）以及许多其他半导体材料已成功通过该方法进行了研究。
Fig. 4: example of a MD-PICTS spectrum of different tempered Cz—Si wafers
Fig. 1: Temperature dependent carrier emission transients
Fig. 2: Box car evaluation with varying ID
Fig. 3: Arrhenius plot
为了研究半导体中的缺陷，广泛采用温度依赖性方法，例如深能级瞬态光谱（DLTS）。通常，这些方法需要在样品上形成接触点，这意味着样品本身往往会因退火步骤而发生改变。 此外，对于许多半导体材料而言，建立欧姆接触本身就需要付出一定努力。MD-PICTS是一种无损、非接触式的方法，能够高精度地测定缺陷的活化能和捕获截面。
在 MD-PICTS 测量中，利用谐振微波腔测量样品经光照后的光电导率。为了确定活化能，通过窗口分析测定光电导率瞬态随温度的变化，该方法也用于 DLTS 测量（图 1）。
图 2 显示了由窗口分析得出的所谓 MD-PICTS 光谱。该光谱中的每个峰都代表样品中的特定缺陷。
该峰值极点的温度偏移会根据以下发射速率公式绘制在阿伦尼乌斯图上：
\(e_{n} = \gamma \sigma_{n}T^2e^{-\frac{E_{A}}{kT}}\)
