这种新型的MDP方法既适用于通过注入依赖型少数载流子寿命测量等方法进行缺陷分析，也适用于晶圆甚至整块晶圆的成像，以满足在线计量需求。 在灵敏度、分辨率和速度方面，该方法均优于其竞争对手µPCD（微波检测光导衰减）和QSSPC（准稳态光导度）。
光导电性与扩散长度密切相关，其测量方法是在矩形激光脉冲激发期间及激发后，通过微波吸收进行测定。图1展示了MDP和MD-PICTS测量的原理。
自由载流子的产生
陷阱被载流子填满
自由载流子的复合
受困载流子的热再发射
再发射载流子的时移复合
在频率稳定的微波发生器中产生约10 GHz的微波，并将其分为参考支路和测量支路。通过衰减器可调节功率，典型范围为1至100 MW。样品位于腔体外部，是测量系统的一部分。 腔体壁上的特殊光阑使微波场能够穿透样品。因此，样品的复介电常数会影响腔体的谐振频率和损耗特性。过量载流子对微波的吸收通过IQ探测器进行检测。 样品放置在X-Y转台上，理论上可适应任何尺寸的样品，并能在X-Y平面内移动。对于温度依赖性MD-PICTS测量，样品必须集成在低温恒温系统中，因此目前样品尺寸受到限制，但除此之外，该测量系统在原理上与上述系统相同。
Fig. 1: Energy scheme of the measurement principle
Fig. 2: Exemplary signal
Fig. 3: setup for MDP and MD-PICTS
该技术所具备的高检测灵敏度，使得即使强度仅为微瓦（µW）至毫瓦（mW）且脉冲持续时间不受限制的微弱激光脉冲也能得到应用。 因此，可以在非稳态或稳态下进行测量，并将脉冲长度从 100 ns 连续变化到几毫秒。该系统的分辨率仅受样品扩散长度的限制。
除了速度和灵敏度方面的优势外，MDP 的一个主要优势是能够同时测量光导电率和少数载流子寿命。因此，可以从每次测量中提取更多的参数，如扩散长度、迁移率甚至捕获动力学。
Fig. 4: Exemplary lifetime map of a mc-Si wafer
Fig 5: Exemplary photoconductivity map of a mc-Si wafer
