基于太赫兹时域光谱的高精度Mapping系统，专为高掺杂材料外延层检测而设计
无损非接触式检测
面向高掺杂衬底上薄层结构优化的测量方案
空间分辨率 1 mm
材料
THzmap 专注于高掺杂材料的测量
Si SiC GaN
特性与优势
Sigma < 1%
重复性优异
± 5 %
精度取决于厚度
检测效率(吞吐量)
> 5 Wafers
每小时
3 mm
边缘剔除
在半导体制造领域，微米级的偏差便足以决定产品性能优劣与生产成败。我们最新的Mapping系统，基于太赫兹时域光谱（THz-TDS）技术，在表征领域实现了重大突破——专为重掺杂基底这类高难度工况下的外延层检测量身打造。
突破导电极限
传统光学法与涡流法在高掺杂衬底的高吸收、高导电特性面前往往束手无策。我们的THz-TDS技术采用反射模式测量，绕过了这些限制，能在基于透射的系统失效的情况下，对外延层实现超高精度的分析。
测量过程中零风险，不会对晶圆造成表面污染或机械损伤。能以低至1mm的空间分辨率，可视化整个晶圆的电学均匀性，在工艺漂移影响良率之前及时识别异常。该方案可作为汞探针C-V法或SIMS等传统慢速、破坏性方法的快速、可在线集成的太赫兹替代方案。
我们的THz-TDS Mapping系统提供了关键数据，用于优化反应腔性能、减少废品率，并确保功率电子器件和射频组件的可靠性。
在半导体制造领域，微米级的偏差便足以决定产品性能优劣与生产成败。我们最新的Mapping系统，基于太赫兹时域光谱（THz-TDS）技术，在表征领域实现了重大突破——专为重掺杂基底这类高难度工况下的外延层检测量身打造。
对于体材料样品：0.1 至 100 Ω·cm
对于外延层：8 × 1015 cm-3 至 4 × 1018 cm-3
应用
THzmap突破检测盲区，精准测量重掺杂基底外延层电阻率
Dr. Nadine Schüler
研发总监
规格
| 测量参数 | 电阻率 / 掺杂浓度 |
|---|---|
| 测量原理 | 非接触式、无损的太赫兹时域光谱（THz-TDS） |
| 结果 | 全晶圆Mapping图 |
| 分辨率 | 1 毫米 |
| 测量时间 | 20分钟（12英寸晶圆） |
| 电源 | 100 – 250 V (± 10)，5A，单相 |
| 尺寸（宽 × 高 × 深） | 670 × 490 × 810 毫米 |
| 最小样品尺寸 | 10 × 10 毫米 |
| 最大样品尺寸 | 直径≤150mm晶圆（更大尺寸可定制） |
| 样品厚度 |
|
配件与选项
可实现样品处理的自动化