基于太赫兹时域光谱的高精度绘图系统，专为高掺杂材料外延层而设计
非破坏性和非接触式
针对高掺杂基底上的薄层进行了优化
1 毫米的高空间分辨率
Materials
THzmap 专注于高掺杂材料。
Si SiC GaN
Features & Benefits
西格玛 < 1
重复性非常好
± 5 %
精度取决于厚度
吞吐量
> 5 个晶片
每小时
3 毫米
边缘排除
在半导体制造领域，产品性能的巅峰与失效之间仅相差几微米。我们最新的映射系统采用太赫兹时域光谱（THz-TDS）技术，在表征领域实现了重大突破——该系统专为高掺杂基板上的外延层而设计。
突破导电性极限
传统的光学和涡流方法往往难以应对高掺杂衬底的高吸收率和高导电性。我们的THz-TDS技术利用反射模式测量来突破这些限制，在基于透射的系统失效的情况下，仍能对外延层进行超精密分析。
测量过程中完全不会造成晶圆表面污染或机械损伤。通过高达1毫米的空间分辨率，可视化整个晶圆的电学均匀性，在工艺偏差影响良率之前及时识别。用快速、可在线集成的太赫兹解决方案取代汞-CV或SIMS等耗时且破坏性的方法。
我们的 THz-TDS 映射系统提供关键数据，用于优化反应器性能、减少废品，并确保电力电子和射频元件的可靠性。
在半导体制造中，巅峰性能与失效之间的差距仅在微米级。我们的最新成像系统基于太赫兹时域光谱（THz-TDS）技术，在表征领域实现了突破性进展——该系统专为高掺杂基底上的外延层而设计。
针对体样：0.1 至 100 欧姆·厘米
针对外延层：8 × 10¹⁵ cm⁻³ 至 4 × 10¹⁸ cm⁻³
Applications
THzmap 能够在高掺杂基底上测量不可测量的精确外延电阻。
纳丁-许勒博士
研发负责人
规格
| 测量参数 | 电阻率 / 掺杂浓度 |
|---|---|
| 测量原理 | 非接触式、无损的太赫兹时域光谱学（THz-TDS） |
| 结果 | 全晶圆图谱 |
| 分辨率 | 1 毫米 |
| 测量时间 | 12英寸晶圆需20分钟 |
| 电源 | 100 – 250 V (± 10)，5A，单相 |
| 尺寸（宽 × 高 × 深） | 670 × 490 × 810 毫米 |
| 最小样品尺寸 | 10 × 10 毫米 |
| 最大样品尺寸 | 直径最大 150 毫米的晶圆（更大尺寸可应要求提供） |
| 样品厚度 |
|
Accessories & Options
可实现样品处理的自动化