HR-SPS 技术

载流子生成与分离机制, 少数载流子寿命测量/扩散长度计算, 受困载流子动力学，时域, 表面光电压测量,

我们目前正在开发模拟工具，旨在基于固态物理学，对特定光活性材料或材料组合的电子结构进行第一性原理计算。 SPS/SPV 模拟工具使任何 SPS/SPV 设备的用户都能将其实测数据与模拟场景进行比对验证。从而例如缩短新材料研究的开发时间，和/或测试特定光活性材料配置的容差范围。 所有瞬态响应均可通过内置的拉伸指数多参数拟合函数在 10 ns 至 100 ms…

MDP（微波检测光导电性）：对移动的光生载流子敏感（体特性）, SPV（表面光电压）：对与空间上分离的任何光生载流子（无论是移动的还是被困住的）相关的表面和体特性均敏感, MDP方法仅适用于中等掺杂的半导体或接近完美光学晶体, SPV 方法适用于任何允许电荷在空间中分离的光活性材料（半导体、多层和多结结构、分子层、粉末）, MDP 方法可建模为时变电阻测量（直流），即 tMDP,…

时域或频调表面光电压光谱法（SPS）基于对表面光电压（SPV）光谱依赖性的时域/频调测量。这是一种强大的无损且非接触式表征方法。 该方法主要用于研究体材料、薄膜及异质结构的电子跃迁和光学性质。高灵敏度以及可在室温下进行测量是SPV方法的关键优势。…

使用此选项可在室温至200°C之间的不同温度下进行单光子伏安（SPV）测量。温度依赖性SPV测量可用于测定活化能，或原位研究温度依赖性反应/过程。例如，可通过此方法研究表面或体相中的缺陷愈合或缺陷引入现象。 对于宽带隙半导体，与带隙边缘相关的SPV信号起始能量通常并不尖锐且界定清晰。通过改变温度，可在不同温度下测量起始能量，从而更好地估算带隙边缘能量。 某些光催化材料具有经过工程设计…

从原材料到成品器件的任何光敏材料：从粉末样品到晶圆，再到晶锭或单晶棒。, 尺寸从10 x 10 mm² 到直径300 mm, 涵盖二氧化钛、硅及氮化铝（1000多种材料）,