• 光生载流子产生与分离机制

  • 少子寿命测试 / 扩散长度计算

  • 时间分辨陷阱载流子动力学表征

  • 表面光电压(SPV)测试

图 1 为采用 SPV 技术表征双面抛光高阻区熔硅片抛光工艺质量的示例。图中红色区域清晰表明,化学机械抛光(CMP)工艺未达最优状态,甚至可清晰观测到加工工装的痕迹(左下图)。


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