• 载流子生成与分离机制

  • 少数载流子寿命测量/扩散长度计算

  • 受困载流子动力学,时域

  • 表面光电压测量

图1展示了一个利用SPV对双面抛光高电阻率浮区法硅片抛光工艺进行表征的示例。图中的红色区域清楚地表明,CMP抛光工艺尚未达到最优状态,甚至在图中还能清晰地看到处理设备的痕迹(左下图)。 


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