使用此选项可在室温至200°C之间的不同温度下进行单光子伏安（SPV）测量。温度依赖性SPV测量可用于测定活化能，或原位研究温度依赖性反应/过程。例如，可通过此方法研究表面或体相中的缺陷愈合或缺陷引入现象。
对于宽带隙半导体，与带隙边缘相关的SPV信号起始能量通常并不尖锐且界定清晰。通过改变温度，可在不同温度下测量起始能量，从而更好地估算带隙边缘能量。
某些光催化材料具有经过工程设计的缺陷态，可加速电荷分离。 在具有人工缺陷态的光催化材料大规模生产体系中，缺陷态活性的控制方案对产率至关重要。通过在相对较窄的温度范围内（例如10°C）调节温度，可以高效地测试其活性。
此外，光催化剂材料需要在宽温度范围内工作。这使得 SPV-Picts 选项对于任何旨在开发高效光催化材料的研究项目而言几乎不可或缺。
