MD-PICTS - 微波检测光诱导电流瞬态光谱仪
MD-PICTS 是 MDP 的改进版本，它能够对瞬态响应中的缺陷部分进行温度依赖性测量。这使得能够对缺陷进行空间分辨的表征。 与深能级瞬态光谱（DLTS）类似，该方法可测定缺陷的活化能和捕获截面。但与DLTS不同的是，该方法无需接触。这对缺陷识别和材料质量提升具有极高的价值。
Fig. 1: example of a MD-PICTS spectrum of different tempered Cz—Si wafers
如需进一步了解该方法，请参阅：
B. Grundig-Wendrock、M. Jurisch 和 J. R. Niklas，《材料科学与工程 B：先进技术用固态材料》第 91 卷，第 371-375 页（2002 年）
S. Hahn, F. Beyer, A. Gällström, P. Carlsson, A. Henry, B. Magnusson, J. R. Niklas 和 E. Janzen，《材料科学论坛》第 600-603 卷，第 405-408 页 (2009)
K. Dornich、K. Niemietz、Mt. Wagner、J.R. Niklas，《半导体加工中的材料科学》，Elsevier，241-245
Bastian Berger、Nadine Schüler、Sabrina Anger、Bianca Gründig-Wendrock、Jürgen R. Niklas、Kay Dornich，《利用微波检测光诱导电流瞬态光谱法（MD-PICTS）和微波检测光导电法（MDP）对半导体进行非接触式电缺陷表征》
