Freiberg Instruments 推出的 MDPmap 以及 MDpicts 配备了 355 nm 激光器（μ-PCD）或 375 nm 激光二极管（MDP），适用于宽带隙氮化物半导体的光导度测量和陷阱分析。 可以通过光导电性（信号高度）来分析 n 型掺杂的均匀性。这在很大程度上取决于电阻率和载流子寿命。
样品中存在的陷阱中心通常会导致表观寿命较长。在 30 K 至 800 K 的温度范围内，MDpicts 可用于研究宽带隙半导体中的深能级陷阱。与相关方法（如 DLTS）相比， MDpicts 是一种非接触式且无损的方法，还可用于研究高掺杂 n 型半导体。 捕获能可通过阿伦尼乌斯图的斜率确定，或通过直接拟合寿命随温度变化的关系式 τ(T)= τ0/((1+aexp-EA/kT)) 进行估算。 根据 EA ≈ 1.0 eV 的数值，可以认为非有意掺杂的 GaN 样品（见图 2 左侧）中的主要缺陷是 CN。
Figure 1: Photoconductivity maps measured by MDP of four different Si doping concentrations in GaN layers.
Figure 2: Examples of the MDpicts time constants as a function of inverse temperature for left an unintentionally doped GaN sample and right a Si-doped GaN sample.
Related Solutions and Industries: 外延层和薄膜
