MD-PICTS 是一种非常适合用于研究 InP 中缺陷水平的方法。 例如，对磷化铟的研究表明，缺陷含量在退火过程中会发生变化，这可能也会影响电学性质的分布。虽然刚生长出的样品的缺陷含量取决于其在晶体中的位置，但在经过晶圆退火的样品中，一组等效的缺陷能级表现得尤为显著。 图 1 展示了来自不同晶体位置的铁掺杂 SI-InP 样品的比较。它们在特征缺陷能级方面存在差异。在铁掺杂 InP 中观测到的峰值首次证明了铁在 InP 中起着复合中心的作用。
Fig.1: Comparison of MD-PICTS spectra of as-grown Fe doped SI-InP samples from different crystal positions and thus different FE concentrations. The samples differ in their characteristic defect levels
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