光电导
当半导体吸收足够能量的光时，自由电子和空穴的数量会发生变化，从而提高半导体的电导率。这种增加称为光导电性，其大小取决于过剩电子和空穴的浓度及其迁移率，可通过以下方程表示。
[1] \(\Delta\sigma = e \cdot(\mu_{n}\Delta n + \mu_{p} \Delta p)\)
[2] \(\Delta\sigma = e \cdot G\)opt\(\cdot \tau \cdot(\mu_{n} + \mu_{p})\)
Gopt 是光生速率，其取决于入射光强度、样品上的光斑以及波长。
[3] \(G\)opt\(= \alpha \cdot \phi \cdot(1 - R)e^{\alpha x}\)
式(2)表明，光电导率与寿命 t 和迁移率 µ 的乘积成正比。因此，它也与扩散长度 L 的平方成正比，其定义为：
[4] \(L = \sqrt{D \cdot \tau} = \sqrt{\frac{e}{kT} \cdot \mu{\tau}}\)
