流动性
迁移率是描述电子或空穴在施加电场作用下穿过材料时的漂移速度的物理量。迁移率取决于各种会使自由载流子减速的散射过程，例如与晶格的碰撞，以及在晶体缺陷和杂质处的散射。
\(\cfrac{1}{\mu} = \cfrac{1}{\mu_{lattice}} + \cfrac{1}{\mu_{impurities}}\)
因此，迁移率不仅取决于注入水平，还取决于掺杂和缺陷密度。在我们的模拟和测量中，通常采用 DORKEL 和 LETURQUE 的模型 [1]。
[1] J. M. Dorkel 和 P. Leturcq，《固态电子学》24卷，821-825页（1981年）
Fig. 1: mobility for electrons and holes versus injection for different doping concentrations
