晶片和砖块的电阻测量

借助 MDPmap 和 MDPingot，可通过涡流测量以 1 毫米的分辨率高精度测量晶圆或晶锭的电阻率。由于采用了与距离相关的内部校准矩阵，该涡流传感器系统具有极佳的长期稳定性。 因此，在生成每张电阻率图时，系统会同步测量表面平整度的几何分布图。电阻率可与少数载流子寿命及光导电性图同时测量。进行晶圆测量时，用户需提供样品厚度参数。

• 台阶宽度 ≥ 1mm

• 边缘排除距离 12 mm

• 电阻率晶圆厚度范围 150 ...250 µm

• 电阻率范围可指定

• 默认设置：0.5 至 5 欧姆·厘米

• 精度：< 5 %

• 重复性：< 1 %（0.5 至 3 欧姆·厘米范围内）

可以绘制发射极的面电阻图，以研究发射极扩散的均匀性。基极的电阻率需由用户提供。

面电阻测量范围为 0.1-200 欧姆/平方

标准样品尺寸下的精度：

• 0.1 - 10 欧姆/平方：精度 < 3 %

• 10 - 100 欧姆/平方：< 4% 精度

• 100 – 200 欧姆/平方：精度 < 5 %

图1至图3展示了在单晶硅（mc-Si）晶圆和砖块上测得的电阻率分布图示例。