在这种情况下，检测掺杂不均匀性的最敏感参数并非寿命，而是光导电性或信号幅度。该参数在很大程度上取决于电阻率和寿命本身。
在MDPmap和MDPingot设备中，最多可集成4台不同波长的激光器。 此外，还可以使用不同的脉冲长度进行测量，从仅 100 ns 的极短脉冲（此时不会发生载流子扩散）到几毫秒的脉冲长度（此时载流子会扩散到样品深度）。因此，通过改变激光波长和脉冲长度，可以进行不同穿透深度的测量。
在此案例中，选择了波长为 660 nm、脉冲宽度为 100 ns 的激光器；因此，实现了约 4 µm 的穿透深度。图 1 显示了被测 Cz-Si 样品中的掺入 P 剂量，图 2 展示了如何通过光导度测量来区分不同的剂量。
Fig. 1: implanted P dosis with a depth of only 2 µm
Fig. 2: measured photoconductivity of the sample with different implanted P doses
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