铁浓度测定

借助 MDPingot 和 MDPmap 系列设备，可以全自动且以极高分辨率测量砖块和晶圆中的铁浓度。

在硅晶片中测定铁含量的常用方法是测量铁硼对解离前后的寿命。

在高掺杂浓度的硼掺杂硅中（如光伏应用中所用），几乎 100% 的电活性铁以 FeB 对的形式存在。在能量足够的光照射下，这些对可以解离成 Fe_i 和 B。该过程是可逆的，一段时间后，所有 FeB 对都会再次结合。 由于FeB和Fe_i具有不同的复合特性，因此该解离过程会影响测得的寿命。利用这一效应，可通过以下公式测定铁浓度：

\([\mathrm{Fe}] = C(\Delta n) \cdot \left( \cfrac{1}{\tau_{\mathrm{Fe}_i}} - \cfrac{1}{\tau_{\mathrm{FeB}}} \right)\)

铁浓度测定中使用校准因子 C，该因子取决于注入量、掺杂浓度和陷阱浓度，这一点在多晶硅中尤其需要考虑。 借助MDP技术，可对多晶硅和单晶硅进行高分辨率的铁浓度测定；得益于模拟计算和多年的研究，其测定精度也十分高。