硅中 CrB 的检测

在硅片中测定铬含量的常用方法之一，是测量铬-硼对解离前后的寿命。

在掺硼硅中，由于其掺杂浓度较高（如用于光伏应用），几乎 100% 的电活性铬以 CrB 对的形式存在。 在能量足够的光照下，这些对可以解离成 Cri 和 B。该过程是可逆的，一段时间后，所有 CrB 对都会再次结合，但这比 FeB 对所需的时间要长得多。CrB 和 Cri 的复合特性不同，因此解离会影响测得的寿命。 利用这一效应，可通过以下公式确定铬浓度：

\([Cr] = C_{Cr}(\Delta n) \cdot (\cfrac{1}{\tau_{Cr}} - \cfrac{1}{\tau_{CrB}})\)

铬浓度测定采用校准因子 C，该因子取决于注入浓度和掺杂浓度。借助 MDPmap 及加热样品台，可对多晶硅（mc-Si）和单晶硅（mono-Si）进行高分辨率的铬浓度测定。