近年来，微电子行业一直计划将晶圆尺寸从300毫米（12英寸）扩大到450毫米（18英寸），以提高良率。 目前，生产此类高质量晶圆的技术已经成熟，只有晶圆厂改造的成本问题仍然阻碍着向更大晶圆尺寸的过渡。这些 450 毫米晶圆还需要检测外源和内源杂质，因此需要进行高空间分辨率的寿命测量。 在欧盟资助的 SEA4KET 项目中，Freiberg Instruments 与 Fraunhofer IISB 合作，开发了一款用于测量 450 毫米晶圆少数载流子寿命的仪器。
针对450毫米晶圆的少数载流子寿命测量，该设备基本沿用了MDPmap和MDPpro的测量头，仅在映射模块部分针对更大的晶圆尺寸进行了适配。 图 1 展示了 450 毫米晶圆的首批寿命图之一，其中清晰地显示了一些处理痕迹和条纹。图 2 和 3 展示了位于弗劳恩霍夫 IISB 洁净室中的该设备。
Fig. 1: minority carrier lifetime map of a 450 mm wafer
Fig. 2: Versatile metrology module at Fraunhofer IISB site with implemented minority carrier lifetime measurement head (MDP sensor) in the course of feasibility evaluation activities within SEA4KET project. © Photo: Kurt Fuchs/Fraunhofer IISB
Fig. 3: minority carrier lifetime measurement head (MDP sensor) and 450 mm wafer in the course of feasibility evaluation activities within SEA4KET project. © Photo: Kurt Fuchs/Fraunhofer IISB
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