借助MDP技术，可以以最高的分辨率，尽可能快速、精确地测量外延层中少数载流子的寿命和光导电性。
对外延层进行测量并确定其质量，对于寿命测量方法而言是一个巨大的挑战，因为信号强度非常微弱，而且由于存在许多复合位点，结果很难解释（图 1）。
在 MDPmap 和 MDPingot 设备中，最多可集成 4 台波长不同、穿透深度不同的激光器。 此外，还可以使用不同的脉冲长度进行测量，从仅 100 ns 的极短脉冲（此时不会发生载流子扩散）到数毫秒的脉冲长度（此时载流子会扩散到样品深度）。 因此，通过改变激光波长和脉冲长度，可以测量不同的穿透深度，并从寿命结果推断出哪个复合位点占主导地位。 图 2 展示了一个实例，其中测量了一系列具有不同衬底质量和外延层厚度的样品，展示了测量寿命与衬底、界面质量和表面质量之间的关系。
有关外延层寿命测定的更多信息，请参阅：
[1] D. Walter, P. Rosenits, F. Kopp, B. Berger, K. Dornich, W. Warta: “Determining the epitaxial carrier lifetime by microwave-detected photoconductance measurements”, Proc. Of the 25th EU PVSEC, submitted (2010)
[2] K. Dornich, T. Hahn, J.R. Niklas: “Non-destructive electrical characterization and topography of silicon wafers and epitaxial layers”, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 864, 549-554 (2005)
Fig. 1: recombination site, which contribute to the measured lifetime
Fig. 2: measured lifetime of samples with different substrate qualities and epitaxial layer thicknesses
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