借助 MDPmap 和 MDPingot，可在宽注入范围内通过一次全自动测量同时测定光电导率及少数载流子寿命。一种智能算法可确定样品中的陷阱浓度。
通过注入依赖的寿命曲线，可确定低注入条件下的寿命 τLLI，并采用略微修改的 HORNBECK 和 HAYNES 模型对光导电率进行拟合。捕获密度 NT 和活化能 EA 是拟合参数。
初步测量结果已从mc-Si和Cz-Si晶圆上获得，并证实了陷阱密度与位错密度之间的相关性。
\(\Delta\delta = e[\tau_{LLI}G_{opt}(\mu_{n}+\mu_{p})+\Delta n_{T}\mu_{p}]\)
MDPmap能够以高分辨率测量受注入影响的光导电率与寿命曲线，从而确定陷阱中心（trapping centers）的陷阱密度和活化能。借助这一方法，可以探究陷阱的起源及其对太阳能电池效率等因素的影响。
更多信息请参阅：
[1] J. A. Hornbeck 和 J. R. Haynes，《物理评论》97, 311-321 (1955)[2] D. Macdonald 和 A. Cuevas，《应用物理快报》74, 1710 - 1712 (1999)
[3] N. Schüler、T. Hahn、K. Dornich、J.R. Niklas，第25届瓦伦西亚光伏科学会议 (2010) 343-346
Photoconductivity versus Gopt for different trap densities and fit of measured photoconductivity curve
