硼-氧复合体可通过光照样品进行活化,并通过将样品在200 °C下加热数分钟进行失活。这与铁的测定类似,可通过测量缺陷复合体活化与失活前后的寿命来确定相对硼-氧密度。
硼-氧浓度的计算公式为:
\([BO_{2}] = C_{BO}(\Delta n) \cdot (\cfrac{1}{\tau_{BO}} - \cfrac{1}{\tau_{FeB}})\)
硼-氧测定采用校准因子 CBO,该因子取决于注入量和掺杂浓度。借助 MDPmap 及加热样品台,可对多晶硅(mc-Si)和单晶硅(mono-Si)进行高分辨率的硼-氧浓度测定。