R&D avancée - sans destruction, flexible et rapide
Haute sensibilité grâce à un système de micro-ondes avancé
Intégration laser et optique personnalisée pour tous vos matériaux
Mesure simultanée de la résistivité et autres options
Matériaux
Le MDPmap propose une gamme polyvalente de lasers de pointe, permettant une caractérisation électrique complète de presque tous les types de semi-conducteurs.
Fonctionnalités et avantages
355-1550 nm
Longueurs d'onde disponibles
10 ns
Résolution temporelle
> 99 %
répétabilité
Résistivité
0.3-5
Ohm cm
Outil de cartographie flexible pour la R&D ou le suivi de la production
MDPmap est un outil de caractérisation électrique sans contact, compact et de table, conçu pour le contrôle de production hors ligne ou la R&D. Il permet de mesurer des paramètres tels que la durée de vie des porteurs, la photoconductivité, la résistivité et les informations sur les défauts, sur une large plage d'injection, en régime permanent ou sous excitation par impulsions courtes (μ-PCD). La reconnaissance automatisée des échantillons et la configuration des paramètres permettent une adaptation aisée à une grande variété d'échantillons différents, comprenant des couches épitaxiales et des plaquettes après diverses étapes de préparation, allant des plaquettes telles que croissantes à celles métallisées jusqu'à 95 %.
Le principal avantage du MDPmap réside dans sa grande flexibilité, qui permet par exemple d'intégrer jusqu'à quatre lasers, soit pour des mesures de durée de vie en fonction du niveau d'injection allant d'une injection ultra-faible à une injection élevée, soit pour extraire des informations de profondeur en utilisant différentes longueurs d'onde laser. Une fonction de lumière de polarisation est incluse, ainsi que des options pour le μ-PCD ou des conditions d'injection en régime permanent. Un calcul défini par le client avec différentes cartes est possible, ainsi qu'une exportation des données brutes pour une évaluation plus approfondie. Pour les tâches de métrologie standard, une norme prédéfinie permet d'effectuer des mesures de routine en appuyant simplement sur un bouton.
Lifetime map of passivated multicrystalline silicon
Iron contamination map of multicrystalline silicon
Bor oxygen map of mono silicon
Trap density map of mono silicon
Applications
Spécifications techniques
| dimensions de l'échantillon | jusqu'à 300 mm de diamètre (standard), jusqu'à 450 mm de diamètre (sur demande), jusqu'à 5 x 5 mm |
|---|---|
| plage de durées de vie | de 20 ns à plusieurs ms |
| résistivité | 0,2 - >10³ Ohm cm, p/n |
| Matériau | plaquettes de silicium, couches épitaxiales, plaquettes partiellement ou entièrement traitées, semi-conducteurs composés et au-delà |
| propriétés mesurables | durée de vie - μ-PCD/MDP (QSS), photoconductivité |
| excitation | sélectionnez jusqu'à quatre longueurs d'onde différentes comprises entre 355 nm et 1480 nm. 980 nm (par défaut) |
| dimensions | 680 x 380 x 450 mm, poids : env. 65 kg |
| alimentation | 100 - 250 V, 50/60 Hz, 5 A |
