Caractérisation électrique
Les performances des dispositifs à semi-conducteurs dépendent essentiellement des paramètres électriques clés du matériau et, par conséquent, de la densité des défauts et de leurs propriétés électriques.
Même dans un monocristal, l'orientation cristalline peut présenter de légères variations à la surface, résultant de contraintes internes causées par des défauts du réseau cristallin. Les films minces obtenus par croissance ordonnée peuvent également présenter une distribution d'orientation dans le plan intéressante.
La cartographie d'une surface nécessite de nombreuses mesures. C'est là que la méthode Omega Scan peut offrir un avantage en termes de rapidité. L'image montre une carte d'orientation mesurée sur une plaquette de solution solide (Si, Ge). La différence d'orientation maximale est de 0,03°. Des cercles concentriques suivent les anneaux de croissance du cristal.
Simulation des profils des transporteurs
Pour mieux comprendre les mesures de durée de vie et améliorer la comparabilité entre les différentes méthodes de mesure, il est nécessaire de réaliser des simulations.
