Profondeur de pénétration de différentes longueurs d'onde laser dans le silicium
La photoconductivité mesurée par micro-ondes évalue la photoconductivité après irradiation de l'échantillon par la lumière. En règle générale, la lumière doit avoir une énergie supérieure à la bande interdite, afin de générer des électrons et des trous. Pour le silicium, cela signifie qu'il faut utiliser une longueur d'onde inférieure à 1 100 nm. Si l'on souhaite analyser la surface ou des couches épitaxiales minces, il peut être utile d'utiliser même de la lumière UV ou bleue, qui a une profondeur de pénétration bien plus faible dans le silicium. La figure 1 montre la profondeur de pénétration dans le silicium en fonction de la longueur d'onde et donne à l'utilisateur une indication sur la longueur d'onde la plus appropriée pour son application.
Fig. 1: penetration depth in silicon versus wavelength
