Steffen Fengler et al. Sections efficaces d'absorption des défauts dans le diamant à haute pression et haute température étudiées par spectroscopie de phototension de surface modulée, Phys. Status Solidi A 2025
A.S. Kovali, M. Demant, B. Rebba, N. Schüler, J. Haunschild, S. Rein
Évaluation précoce de la qualité des lingots de silicium à partir de la caractérisation des briques MDP
Jan Beyer, Nadine Schüler, Jürgen Erlekampf, Birgit Kallinger, Patrick Berwian, Kay Dornich, Johannes Heitmann
Mesures de la durée de vie des porteurs minoritaires sur des plaquettes épitaxiales de 4H-SiC par photoluminescence résolue en temps et photoconductivité détectée par micro-ondes
Paul M. Jordan, Daniel K. Simon, Franz P.G. Fengler, Thomas Mikolajick et Ingo Dirnstorfer
Cartographie 2D de la passivation chimique et par effet de champ de l'Al₂O₃ sur des substrats de Si
Paul M. Jordan, Daniel K. Simon, Thomas Mikolajick et Ingo Dirnstorfer
BiasMDP : technique de caractérisation de la durée de vie des porteurs avec tension de polarisation appliquée
N. Schüler, B. Berger, A. Blum, K. Dornich, J.R. Niklas Topographie en ligne haute résolution du fer dans des briques multicristallines dopées au phosphore par MDP
K. Dornich, N. Schüler, J.R. Niklas Spectroscopie de durée de vie dépendante de l'injection avec une longueur d'impulsion variable
K. Dornich, N. Schüler, B. Berger, J.R. Niklas Caractérisation électrique rapide, haute résolution et en ligne sans contact des semi-conducteurs pour des applications photovoltaïques par MDP
Bastian Berger, Nadine Schüler, Sabrina Anger, Bianca Gründig-Wendrock, Jürgen R. Niklas, Kay Dornich
Caractérisation électrique sans contact des défauts dans les semi-conducteurs par spectroscopie des transitoires de courant photo-induits détectés par micro-ondes (MD-PICTS) et photoconductivité détectée par micro-ondes (MDP)
N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich et J.R. Niklas :
Détermination spatialement résolue des paramètres de piégeage dans le silicium dopé P par photoconductivité
détectée par micro-ondes 25e EUPVSEC Valence, Espagne
N. Schüler, D. Mittelstrass, K. Dornich et J.R. Niklas :
Détection en ligne haute résolution des changements de type de conduction du silicium multicristallin par des mesures
de photoconductivité sans contact 35e conférence des spécialistes photovoltaïques de l'IEEE, Honolulu, Hawaï
N. Schüler, D. Mittelstrass, K. Dornich, J.R. Niklas et H. Neuhaus :
Métrologie en ligne de nouvelle génération de la durée de vie des porteurs minoritaires sur des briques de silicium multicristallin pour le photovoltaïque
35e conférence des spécialistes du photovoltaïque de l'IEEE, Honolulu, Hawaï
N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas :
Outil de simulation polyvalent et nouvelle méthode de mesure pour la caractérisation électrique des semi-conducteurs
Solid State Phenomena 156-158, 241-246 (2010)
N. Schüler, T. Hahn, S. Schmerler, S. Hahn, K. Dornich et J.R. Niklas :
Simulations de la photoconductivité et de la durée de vie pour des mesures
en régime permanent et en régime transitoire Journal of Applied Physics 107 (2010), 064901
N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, B. Gründig-Wendrock :
Comparaison théorique et expérimentale des méthodes de mesure sans contact de la durée de vie pour des échantillons
de silicium épais Solar Energy Materials & Solar Cells 94 (2010), 1076-1080
K. Dornich, N. Schüler, D. Mittelstraß, A. Krause, B. Gründig-Wendrock, K. Niemietz et J.R. Niklas :
Nouvelle métrologie en ligne à résolution spatiale sur le silicium multicristallin pour le photovoltaïque
(À paraître dans les actes du 24e EU PVSEC)
S. Schmerler, T. Hahn, S. Hahn, J.R. Niklas, B. Gründig Wendrock :
Explication des pics PICTS positifs et négatifs dans le Si-GaAs
J. Mater Sci: Mater Electron
T. Hahn, S. Schmerler, S. Hahn, J.R. Niklas :
Interprétation des mesures de durée de vie et de spectroscopie des défauts à l'aide d'équations
de taux généralisées J. Mater Sci: Mater Electron (2008) 19:S79-S82
K. Niemietz, K. Dornich, M. Gosh, A. Müller, J.R. Niklas
Étude sans contact des propriétés électriques et de la spectroscopie des défauts du mc-Si à faible niveau
d'injection 21e Conférence européenne sur l'énergie solaire photovoltaïque, p. 361-364
K. Dornich, K. Niemietz, Mt. Wagner, J.R. Niklas
Caractérisation sans contact des défauts électriques du silicium par MD-PICTS
Material Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 241-245
S. Hahn, Franziska Christine Beyer, Andreas Gällström, Patrick Carlsson, Anne Henry, Björn Magnusson, J.R. Niklas, Erik Janzén
Caractérisation électrique sans contact des défauts du matériau
massif semi-isolant 6H-SiC Mater. Sci. Forum 600-603, 405 (2009).
S. Hahn, K. Dornich, T. Hahn, A. Köhler, J.R. Niklas, P. Schwesig, G. Müller
Étude sans contact des défauts d’une plaquette de SiInP
recuite Material Science in Semiconductor Processing 9, Elsevier, 355-358
K. Dornich, T. Hahn, J.R. Niklas