Système de cartographie de haute précision basé sur la spectroscopie THz dans le domaine temporel conçu pour les couches épitaxiales sur des matériaux fortement dopés
Non-destructif et sans contact
Optimisé pour les couches minces sur des substrats fortement dopés
Résolution spatiale élevée de 1 mm
Matériaux
THzmap est spécialisé dans les matériaux fortement dopés.
Fonctionnalités et avantages
Sigma < 1 %
Très bonne répétabilité
± 5 %
Précision en fonction de l'épaisseur
Débit
> 5 plaquettes
par heure
3 mm
Exclusion des bords
Dans la fabrication des semi-conducteurs, la différence entre des performances optimales et une défaillance se joue à l'échelle du micromètre. Notre tout dernier système de cartographie, basé sur la spectroscopie terahertz dans le domaine temporel (THz-TDS), marque une avancée majeure en matière de caractérisation – spécialement conçu pour les couches épitaxiales sur des substrats complexes et fortement dopés.
Dépasser la limite de conductivité
Les méthodes optiques et à courants de Foucault traditionnelles sont souvent confrontées à des difficultés en raison de la forte absorption et de la conductivité élevée des substrats fortement dopés. Notre technologie THz-TDS utilise la mesure en mode réflexion pour contourner ces limites, permettant ainsi une analyse ultra-précise des couches épitaxiales là où les systèmes basés sur la transmission échouent.
Effectuez des mesures sans aucun risque de contamination de surface ou de dommages mécaniques sur vos plaquettes. Visualisez l'homogénéité électrique sur l'ensemble de la plaquette avec des résolutions spatiales allant jusqu'à 1 mm, identifiant ainsi les dérives de processus avant qu'elles n'affectent le rendement. Remplacez les méthodes lentes et destructives telles que le Mercury-CV ou le SIMS par une solution THz rapide et compatible avec les lignes de production.
Notre système de cartographie THz-TDS fournit les données essentielles nécessaires pour optimiser les performances des réacteurs, minimiser les rebuts et garantir la fiabilité des composants électroniques de puissance et RF.
Dans la fabrication de semi-conducteurs, la différence entre des performances optimales et une défaillance se joue à l'échelle du micromètre. Notre tout dernier système de cartographie, basé sur la spectroscopie terahertz dans le domaine temporel (THz-TDS), constitue une avancée majeure en matière de caractérisation – spécialement conçu pour les couches épitaxiales sur des substrats complexes et fortement dopés.
Pour les échantillons massifs : 0,1 à 100 ohm cm
Pour les couches épitaxiales : 8 × 10¹⁵ cm⁻³ à 4 × 10¹⁸ cm⁻³
Applications
THzmap permet de mesurer l'incommensurable - la résistance d'épi précise sur des substrats fortement dopés.
Dr. Nadine Schüler
Chef de la recherche et du développement
Spécifications
| Paramètre mesuré | Résistivité / densité de dopage |
|---|---|
| Principe de mesure | Spectroscopie terahertz dans le domaine temporel (THz-TDS) sans contact et non destructive |
| Résultat | Cartes complètes de la plaquette |
| Résolution | 1 mm |
| Durée de mesure | 20 min pour une plaquette de 12 pouces |
| Alimentation | 100 – 250 V (± 10), 5 A, monophasé |
| Dimensions (l × h × p) | 670 × 490 × 810 mm |
| Taille minimale de l'échantillon | 10 × 10 mm |
| Taille maximale de l'échantillon | Plaquettes jusqu'à 150 mm de diamètre (plus grandes sur demande) |
| Épaisseur de l'échantillon |
|
Accessoires et options
Possibilité d'automatiser la manipulation des échantillons