Mobilité
La mobilité est une grandeur liée à la vitesse de dérive des électrons ou des trous dans un matériau soumis à un champ électrique. Elle dépend de divers processus de diffusion susceptibles de ralentir les porteurs libres, tels que les collisions avec le réseau cristallin ou la diffusion au niveau des défauts cristallins et des impuretés.
\(\cfrac{1}{\mu} = \cfrac{1}{\mu_{lattice}} + \cfrac{1}{\mu_{impurities}}\)
La mobilité dépend donc de la densité de dopage et de défauts ainsi que du niveau d'injection. Dans nos simulations et mesures, nous appliquons généralement le modèle de DORKEL et LETURQUE [1].
[1] J. M. Dorkel et P. Leturcq, Solid-State Electronics 24, 821-825 (1981)
Fig. 1: mobility for electrons and holes versus injection for different doping concentrations
