MD-PICTS - spectroscopie de courant transitoire photo-induit détecté par micro-ondes
MD-PICTS est une variante de la MDP qui permet d'effectuer des mesures dépendantes de la température sur la partie de la réponse transitoire liée aux défauts. Cela permet une caractérisation des défauts avec une résolution spatiale. À l'instar de la DLTS (spectroscopie transitoire de niveau profond), l'énergie d'activation et la section efficace de capture des défauts peuvent être déterminées. Cependant, contrairement à la DLTS, aucun contact n'est nécessaire. Cela s'avère extrêmement utile pour l'identification des défauts et l'amélioration de la qualité des matériaux.
Fig. 1: example of a MD-PICTS spectrum of different tempered Cz—Si wafers
Si vous souhaitez en savoir plus sur cette méthode, consultez :
B. Grundig-Wendrock, M. Jurisch et J. R. Niklas, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology 91, 371-375 (2002)
S. Hahn, F. Beyer, A. Gällström, P. Carlsson, A. Henry, B. Magnusson, J. R. Niklas et E. Janzen, Materials Science Forum 600-603, 405-408 (2009)
K. Dornich, K. Niemietz, Mt. Wagner, J.R. Niklas, Science des matériaux dans le traitement des semi-conducteurs, Elsevier, 241-245
Bastian Berger, Nadine Schüler, Sabrina Anger, Bianca Gründig-Wendrock, Jürgen R. Niklas, Kay Dornich, Caractérisation sans contact des défauts électriques dans les semi-conducteurs par spectroscopie des transitoires de courant photo-induits détectés par micro-ondes (MD-PICTS) et photoconductivité détectée par micro-ondes (MDP)
