Mesure et cartographie de la résistivité

Cartographie et mesure de la résistivité

La résistivité électrique dépend directement de la densité du semi-conducteur et constitue donc un paramètre utile pour contrôler les profils de dopage et l'homogénéité. La durée de vie et la longueur de diffusion dépendent également de la densité de dopage. Comme le dopage déplace le niveau de Fermi, il augmente le taux de recombinaison SRH dans la plupart des cas. De plus, la recombinaison Auger étant plus probable dans un matériau fortement dopé, le processus de recombinaison lui-même est renforcé à mesure que le dopage augmente.

Dans nos systèmes, la résistivité est mesurée par la méthode des courants de Foucault sans contact. Les courants de Foucault sont générés lorsqu'un échantillon est exposé à un champ magnétique variable en raison de variations du champ dans le temps, par exemple si un courant alternatif circule dans une bobine à proximité immédiate de l'échantillon. Cela provoque un courant à l'intérieur de l'échantillon et les courants de Foucault circulants créent des champs magnétiques induits qui s'opposent à la variation du champ magnétique d'origine. Plus la conductivité électrique de l'échantillon est élevée, plus les courants générés sont importants et plus le champ opposé sera fort. En d'autres termes, on mesure la perte électrique dans le matériau, qui est directement liée à la résistivité de l'échantillon.

Il convient de noter que la mesure dépend également de la distance entre la bobine et l'échantillon et, par conséquent, des caractéristiques géométriques de l'échantillon.