Les outils MDPmap et MDPingot permettent de mesurer la résistivité des plaquettes ou des briques avec une grande précision et une résolution de 1 mm grâce à des mesures par courants de Foucault. Le dispositif de capteurs à courants de Foucault présente une très bonne stabilité à long terme, grâce à une matrice d'étalonnage interne corrélée à la distance. Ainsi, pour chaque carte de résistivité, une carte géométrique de la planéité de la surface est mesurée. La résistivité peut être mesurée simultanément avec les cartes de durée de vie des porteurs minoritaires et de photoconductivité. Dans le cas de mesures sur des plaquettes, l'épaisseur de l'échantillon doit être fournie par l'utilisateur.
Largeur de marche ≥ 1 mm
Exclusion des bords 12 mm
Plage d'épaisseur des plaquettes de résistivité : 150 ... 250 µm
La plage de résistivité peut être spécifiée
Réglage par défaut : 0,5 à 5 Ohm cm
Précision : < 5 %
Répétabilité : < 1 % (plage de 0,5 à 3 Ohm cm)
Il est possible de cartographier la résistance de surface de l'émetteur afin d'étudier l'homogénéité de la diffusion de l'émetteur. La résistivité de la base doit être fournie par l'utilisateur.
Mesure de la résistance de surface avec une plage de 0,1 à 200 ohms/cm²
Précision pour une taille d'échantillon standard,
0,1 à 10 Ω/cm² : précision < 3 %
10 à 100 Ω/cm² : précision < 4 %
100 – 200 Ω/cm² : < 5 % de précision
Les figures 1 à 3 montrent des exemples de cartes de résistivité mesurées sur des plaquettes et des briques de silicium monocristallin (mc-Si).
Fig 1: Emitter sheet resistance map of a typical mc-Si wafer with emitter diffusion and an average sheet resistance of 85.1 Ohm/sq.
Fig. 2: resistivity map of a typical mc-Si wafer for PV applications and an average resistivity of 1.0 Ohm cm
Fig. 3: Resistivity map of a typical mc-Si brick for PV applications and an average resistivity of 1.4 Ohm cm
Solutions et secteurs industriels associés: Couches épitaxiées et couches minces, Photovoltaïque
