Les appareils MDPmap et MDPingot permettent de mesurer à la fois la photoconductivité et la durée de vie des porteurs minoritaires en une seule opération entièrement automatisée, sur une large plage d'injection. Un algorithme sophistiqué permet de déterminer la concentration en pièges dans l'échantillon.
À partir de la courbe de durée de vie en fonction de l'injection, la durée de vie à faible injection τLLI peut être déterminée et la photoconductivité est ajustée à l'aide du modèle légèrement modifié de HORNBECK et HAYNES. La densité de piégeage NT et l'énergie d'activation EA constituent les paramètres d'ajustement.
Les premiers résultats de mesure ont été obtenus sur des plaquettes de mc-Si et de Cz-Si, et une corrélation entre la densité de pièges et la densité de dislocations a pu être confirmée.
\(\Delta\delta = e[\tau_{LLI}G_{opt}(\mu_{n}+\mu_{p})+\Delta n_{T}\mu_{p}]\)
MDPmap permet de mesurer avec une haute résolution la photoconductivité dépendante de l'injection et les courbes de durée de vie, de sorte que la densité de pièges et l'énergie d'activation des centres de piégeage peuvent être déterminées. Il est ainsi possible d'étudier l'origine des pièges et leur influence, par exemple, sur le rendement des cellules solaires.
Pour plus d'informations, voir :
[1] J. A. Hornbeck et J. R. Haynes, Physical Review 97, 311-321 (1955)[2] D. Macdonald et A. Cuevas, Applied Physics Letters 74, 1710 - 1712 (1999)
[3] N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, 25e PVSEC Valence (2010) 343-346
Photoconductivity versus Gopt for different trap densities and fit of measured photoconductivity curve
Solutions et secteurs industriels associés: Couches épitaxiées et couches minces, Photovoltaïque, Recherche et développement
