Les séries MDPingot et MDPmap permettent de mesurer la concentration en fer dans les briques et les plaquettes de manière entièrement automatisée et avec une très haute résolution.

Les mesures de durée de vie avant et après la dissociation des paires fer-bore constituent une méthode largement utilisée pour la détermination du fer dans les plaquettes de silicium.

Dans le silicium dopé au bore à forte concentration de dopage, tel qu'il est utilisé pour les applications photovoltaïques, près de 100 % du fer électriquement actif est présent sous forme de paires FeB. Sous l'effet d'une lumière d'énergie suffisante, ces paires peuvent se dissocier en Fei et B. Ce processus est réversible et, après un certain temps, toutes les paires FeB se reforment. Le FeB et le Fei ont des propriétés de recombinaison différentes, de sorte que la dissociation a un effet sur la durée de vie mesurée. Grâce à cet effet, la concentration en fer peut être déterminée par :

\([\mathrm{Fe}] = C(\Delta n) \cdot \left( \cfrac{1}{\tau_{\mathrm{Fe}_i}} - \cfrac{1}{\tau_{\mathrm{FeB}}} \right)\)

 

Pour la détermination de la concentration en fer, on utilise un facteur d'étalonnage C qui dépend de l'injection, de la concentration de dopage et de la concentration de pièges, ce qui doit être pris en compte en particulier dans le silicium multicristallin. Avec le MDP, il est possible de déterminer la concentration en fer pour le silicium monocristallin et multicristallin avec une haute résolution et, grâce à des simulations et à des années de recherche, également avec une grande précision.



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