Dans ce cas, ce n'est pas la durée de vie, mais la photoconductivité ou l'amplitude du signal qui constitue le paramètre le plus sensible pour détecter les inhomogénéités dans les implantations. Ce paramètre dépend fortement de la résistivité et de la durée de vie elle-même.
Les équipements MDPmap et MDPingot permettent d'intégrer jusqu'à 4 lasers de longueurs d'onde différentes. De plus, il est possible d'effectuer des mesures avec différentes durées d'impulsion, allant d'une impulsion très courte de seulement 100 ns, où aucune diffusion des porteurs n'a lieu, à une durée de plusieurs ms, où les porteurs se diffusent en profondeur dans l'échantillon. Ainsi, en faisant varier la longueur d'onde du laser et la durée d'impulsion, il est possible de mesurer avec différentes profondeurs de pénétration.
Dans ce cas, un laser de 660 nm avec une durée d'impulsion de 100 ns a été choisi ; une profondeur de pénétration d'environ 4 µm a ainsi été obtenue. La figure 1 montre les doses de P implantées dans l'échantillon de Cz-Si mesuré et la figure 2 démontre comment les différentes doses peuvent être distinguées par des mesures de photoconductivité.
Fig. 1: implanted P dosis with a depth of only 2 µm
Fig. 2: measured photoconductivity of the sample with different implanted P doses
Solutions et secteurs industriels associés: Couches épitaxiées et couches minces
