Les complexes bore-oxygène peuvent être activés par irradiation de l'échantillon avec de la lumière et désactivés par chauffage de l'échantillon à 200 °C pendant plusieurs minutes. Cette méthode peut être utilisée, à l'instar de la détermination du fer, pour déterminer la densité relative bore-oxygène par des mesures de durée de vie avant et après l'activation et la désactivation du complexe de défaut.
La densité bore-oxygène est déterminée par :
\([BO_{2}] = C_{BO}(\Delta n) \cdot (\cfrac{1}{\tau_{BO}} - \cfrac{1}{\tau_{FeB}})\)
Pour la détermination de la concentration en bore-oxygène, on utilise un facteur d'étalonnage CBO, qui dépend de la concentration d'injection et de dopage. Grâce au MDPmap et au plateau d'échantillon chauffé, il est possible de déterminer la concentration en bore-oxygène pour le mc-Si et le mono-Si avec une haute résolution.
Solutions et secteurs industriels associés: Couches épitaxiées et couches minces
