La mesure de la durée de vie avant et après la dissociation des paires chrome-bore est une méthode largement utilisée pour la détermination de la teneur en chrome dans les plaquettes de silicium.
Dans le silicium dopé au bore à forte concentration de dopage, tel qu'il est utilisé pour les applications photovoltaïques, près de 100 % du chrome électriquement actif est présent sous forme de paires CrB. Sous l'effet d'une lumière d'énergie suffisante, ces paires peuvent être dissociées en Cri et B. Ce processus est réversible et, après un certain temps, toutes les paires CrB se recombinent, ce qui prend beaucoup plus de temps que pour les paires FeB. Le CrB et le Cri ont des propriétés de recombinaison différentes, de sorte que la dissociation a un effet sur la durée de vie mesurée. Grâce à cet effet, la concentration en chrome peut être déterminée par :
\([Cr] = C_{Cr}(\Delta n) \cdot (\cfrac{1}{\tau_{Cr}} - \cfrac{1}{\tau_{CrB}})\)
Pour la détermination du chrome, on utilise un facteur d'étalonnage C, qui dépend de la concentration d'injection et de dopage. Grâce à la MDPmap et au plateau d'échantillon chauffé, il est possible de déterminer la concentration en chrome pour le mc-Si et le mono-Si avec une haute résolution.
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