Contrairement à d'autres techniques, la MD-PICTS (spectroscopie des transitoires de courant photo-induits détectés par micro-ondes) permet de détecter des signaux même à partir de couches superficielles très minces (3 µm) d'échantillons de GaAs monocristallin et est donc capable d'analyser, par exemple, l'influence des traitements de surface. La figure 1 montre le pic de défaut du célèbre défaut EL2 dans des échantillons présentant différentes concentrations d'accepteurs.
Fig. 1: Detection of the EL2 defect in SI GaAs samples with different acceptor concentrations by MD-PICTS, peak height and sign correlate to the acceptor concentration
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