在实际应用中，组件的前玻璃表面与太阳能电池之间可能会产生较大的电位差，从而导致硅太阳能电池的p-n结发生短路，进而引起电阻降低和功率输出下降。
[1] 提出了以下模型：
组件中存在的高场强导致 Na+ 通过 SiNx 层漂移。Na 离子在 SiNx/Si 界面 (SiOx) 处横向扩散，并装饰堆垛错位。 pn结通过高度装饰的堆垛错位缺陷能级以跃迁过程被短路（过程1），此外，由于耗尽区中缺陷态的复合过程，J02值随之增加（过程2）。需注意，钠离子被认为源自硅表面而非玻璃。
因此，组件的易损性主要取决于SiNx层以及玻璃和EVA薄膜的电阻率。
更多信息请参阅：
[1] V. Naumann 等，堆叠缺陷在晶体硅太阳能电池电位诱导退化（PID）过程中旁路形成中的作用，《Phys. Stat. Solidi RRL》第 7 卷第 5 期（2013）315-318 页
