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可使现有设备满足 200 mm、300 mm 硅锭高端晶向偏差与定位Notch精度指标要求
可让现有设备达到高端晶向偏差与定位Notch精度规格要求
全产线适配型晶圆晶向分布在线mapping检测方案
适用于高速晶体晶向检测、量产工况下晶体定位校准、品质管控、摇摆曲线测试、材料科研等多种场景。
整机结构紧凑,可从底面完成超高速晶体晶向检测
超快端面测量晶体取向,采用紧凑型封装
全自动在线式晶锭、晶棒与硅片坯定向及上下料处理系统
全自动晶圆、种子晶圆和单晶棒质量控制与分选多功能计量设备
石英棒、晶片和坯料的生产与质量控制
该产品即将推出
高精度电阻率Mapping系统 精准实现材料分析
超越极限的精度:面向电阻率测量的下一代太赫兹Mapping技术
高精度少子寿命表征,检测灵敏度出众
简易快速完成少子寿命检测
多功能定制化设备,用于测量硅样品(从硅砖到加工晶片)的少子寿命
用于半导体质量控制和材料研发的先进寿命测量系统
先进的单晶硅锭、硅砖和硅片质量控制解决方案
变温少子寿命测试系统,用于高端材料分析
高精度变温少子寿命测试系统,用于材料精准表征
高端高温少子寿命测试系统,用于深度材料性能分析
基于热释电效应测定晶体表面极性便携式检测系统
高分辨率、高灵敏度的表面光电电压测量解决方案
配备可调能量激发光源
专为集成到手套箱中而设计,可加热至 100°C,高分辨率,高灵敏度表面电压测量
宽波段双棱镜单色仪
专为智能生产环境设计的GWh级电池化成与测试方案
中试规模电池化成与测试:智能、测量驱动的过程控制
集成传感 + 先进充电控制,打造测量驱动的智能化电池化成
双面 PERC/PERC+、HIT、Topcon、晶体硅太阳能电池、迷你模块等的质量控制解决方案
超高灵敏度 TL/OSL 测量仪
业界领先 TL/OSL 测量仪
便携式OSL读数仪,可高效读取与擦除适配的个人辐射剂量计
业界领先的个人剂量OSL系统
Freiberg Instruments新型热释光测量仪
非破坏性释光 岩芯剖面分析新方法
符合 EN 13751:2009 标准,可用于辐照食品检测
台式X射线辐照机
用于CTA读出的PC控制式剂量测量设备,符合ISO/ASTM标准及FDA CFR 21第11部分规定
用于极端工况下高精度吸附测量的磁悬浮天平
全自动高灵敏度拉曼传感器,用于聚合物与半导体分选
辐射污染监测仪
用于运输容器测量的空间分辨探测器杆
高量程剂量率仪
便携式设备,配备 50 mm PIPS 探测器,浓度计算符合 ISO 11929 标准
伽马辐射监测仪
PID 易感性受温度、电压、封装材料和太阳能电池氮化硅层等因素的影响
加热板温度越高,太阳能电池的劣化速度就越快。遗憾的是,如果温度超过 60 °C,EVA 薄膜会因粘连而对太阳能电池造成无法修复的损坏。另一方面,这种层压工艺最能模拟组件的实际工作状态。
使用更高电压会加速电池的衰减。若需快速衰减,建议使用1000 V;若电压差为600 V,电池间的差异则会呈现更精细的梯度。需要说明的是,电压始终为负值,因此PIDcon系统适用于p型电池。
湿度对降解结果的影响微乎其微,因为玻璃和EVA被压合在太阳能电池上,确保了全面积接触。但如果电池具有抗PID性能,湿度的微小变化可能会导致测得的并联电阻出现可观测的微小变化,这是因为金针与太阳能电池之间的接触电阻发生了变化。
光线对PID测量有巨大影响。必须确保在测量过程中挡板和盖板处于关闭状态。此外,应避免在PIDcon设备周围放置强光源。下图展示了这些因素对电阻曲线的影响。第一种情况下,设备的挡板被打开并关闭;第二种情况下,盖板被掀起,使其与底板之间形成5毫米的间隙,同时在系统前方放置了一盏强光照明灯,并对其进行开关操作。
文献表明,采用石英玻璃或低碱玻璃的组件对PID不敏感。如图1所示,硼酸盐玻璃也非常适合用于抗PID的组件。决定PID敏感性的关键并非钠浓度,而是玻璃两侧的电阻率。
不同类型的封装膜似乎都适用于抗PID的组件(例如聚乙烯丁醛(PVB)、热塑性硅橡胶(TPSE)、聚乙烯(PE))。 与玻璃类似,聚合物薄膜的高电阻率似乎也能带来抗PID性能。
如需了解更多信息,请参阅:[1] V. Naumann, Ursachenanalyse und physikalische Modellbildung für potenzial-induzierte Degradation von Silizium-Solarzellen, Dissertation, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg (2014)
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