素材
高度な材料の研究開発 研究用途の例をいくつか挙げると、
鉄濃度の測定
トラップ濃度の測定
ホウ素・酸素の測定
注入法による測定など
Si SiC Compound semiconductor Ge GaAs CdTe InP ZnS Perovskite Oxides Wide bandgap materials Epitaxial layers and more
特長と利点
スループット
>240
1日あたりのレンガ数
スピード
> 99%
再現性
1 mm
156×156×400 mmのレンガの切断基準
品質
監視
非接触かつ非破壊の寿命イメージング（μPCD/MDP（QSS））、光伝導度、抵抗率、および半導体規格SEMI PV9-1110に基づくp/nチェック
ウェーハ切断、炉内モニタリング、材料最適化など
最大スループット：240 ブリック/日または 720 ウェーハ/日
測定速度：156 x 156 x 400 mm の標準ブリックで 4 分未満
歩留まりの向上：156 x 156 x 400 mm の標準ブリックで 1 mm の切断基準
品質管理：単結晶または多結晶シリコンなどのプロセスおよび材料の品質監視用に設計
汚染物質の特定：るつぼや装置に由来する金属（Fe）汚染
信頼性：高い信頼性と 99% 以上の稼働率を実現する、モジュール式で堅牢な産業用機器
再現性：99%以上
抵抗率：頻繁な校正を必要としない抵抗率マッピング
事実
完全に非接触で、試料を破壊しない電気的半導体特性評価
独自の「表面下」寿命測定技術
従来は検出できなかった欠陥を可視化するための高度な感度
切断基準の自動定義
空間分解能を有するp/n導電型転移の検出
用途
アクセサリーとオプション
スポットサイズのばらつき
抵抗率測定（レンガ／ウェハー）
バックグラウンド／バイアス光
反射測定（MDP）
LBIC
バイアスMDP
太陽電池用LBIC
LBIC、バイアスMDP測定ステージ（コンタクト付き）
基準ウェハー
抵抗率校正セット（ブリック／ウェーハ）
Siの内部鉄マッピング
P/N検出
バーコードリーダー
幅広いレーザー
