Steffen Fengler ら. 変調表面光電圧分光法による高圧高温ダイヤモンド中の欠陥の有効吸収断面積の研究, Phys. Status Sol. A 2025
A.S. Kovali, M. Demant, B. Rebba, N. Schüler, J. Haunschild, S. Rein
MDPブリック特性評価に基づくシリコンインゴットの初期段階品質評価
Jan Beyer、Nadine Schüler、Jürgen Erlekampf、Birgit Kallinger、Patrick Berwian、Kay Dornich、Johannes Heitmann
時間分解フォトルミネッセンスおよびマイクロ波検出光伝導度による 4H-SiC エピウェハーの少数キャリア寿命測定
Paul M. Jordan、Daniel K. Simon、Franz P.G. Fengler、Thomas Mikolajick、および Ingo Dirnstorfer
Si 基板上の Al2O3 の化学的および電界効果パッシベーションの 2D マッピング
Paul M. Jordan、Daniel K. Simon、Thomas Mikolajick、および Ingo Dirnstorfer
BiasMDP：バイアス電圧印加によるキャリア寿命評価技術
N. シューラー、B. ベルガー、A. ブルム、K. ドルニヒ、J.R. ニクラス MDP による P 型ドープ多結晶ブリック中の鉄の高分解能インライントポグラフィー
K. Dornich、N. Schüler、J.R. Niklas パルス幅を変化させた注入依存性寿命分光法
K. Dornich、N. Schüler、B. Berger、J.R. Niklas MDP による太陽光発電用途向けの高速、高分解能、インライン非接触半導体特性評価
Bastian Berger、Nadine Schüler、Sabrina Anger、Bianca Gründig-Wendrock、Jürgen R. Niklas、Kay Dornich
：マイクロ波検出光誘起電流過渡分光法（MD-PICTS）およびマイクロ波検出光伝導度法（MDP）による半導体の非接触電気的欠陥評価
N. Schüler、T. Hahn、K. Dornich、J.R. Niklas：
マイクロ波検出光伝導度
法による P 型ドープシリコンのトラッピングパラメータの空間分解能測定 第 25 回 EUPVSEC スペイン、バレンシア
N. Schüler、D. Mittelstrass、K. Dornich、J.R. Niklas：
非接触光伝導度測定
による多結晶シリコンの伝導型変化の高分解能インライン検出 第35回 IEEE 太陽光発電専門家会議、ハワイ州ホノルル
N. Schüler、D. Mittelstrass、K. Dornich、J.R. Niklas、H. Neuhaus：
太陽光発電
用多結晶シリコンブリックにおける次世代インライン少数キャリア寿命計測 第35回IEEE太陽光発電専門家会議、ハワイ州ホノルル
N. Schüler、T. Hahn、K. Dornich、J.R. Niklas：
半導
体の電気的特性評価のための汎用シミュレーションツールと新しい測定法 Solid State Phenomena 156-158, 241-246 (2010)
N. Schüler, T. Hahn, S. Schmerler, S. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas:
定常状態および非定常状態測定
における光伝導度および寿命のシミュレーション, Journal of Applied Physics 107 (2010), 064901
N. Schüler、T. Hahn、K. Dornich、J.R. Niklas、B. Gründig-Wendrock：
厚いシリコン試料
の非接触寿命測定法の理論的および実験的比較 Solar Energy Materials & Solar Cells 94 (2010), 1076-1080
K. Dornich、N. Schüler、D. Mittelstraß、A. Krause、B. Gründig-Wendrock、K. Niemietz、J.R. Niklas：
PV用多結晶シリコンにおける新しい空間
分解能を持つインライン計測（第24回EU PVSECの議事録に掲載予定）
S. Schmerler、T. Hahn、S. Hahn、J.R. Niklas、B. Gründig-Wendrock：
SI-GaAs
における正および負のPICTSピークの説明 J. Mater Sci: Mater Electron
T. Hahn、S. Schmerler、S. Hahn、J.R. Niklas：
一般化された速度式
による寿命および欠陥分光測定の解釈 J. Mater Sci: Mater Electron (2008) 19:S79-S82
K. Niemietz、K. Dornich、M. Gosh、A. Müller、J.R. Niklas
：低注入レベル
におけるmc-Siの電気的特性および欠陥分光法の非接触調査 第21回欧州太陽光発電会議、p. 361-364
K. Dornich、K. Niemietz、Mt. Wagner、J.R. Niklas
、MD-PICTS
によるシリコンの非接触電気的欠陥特性評価、Material Science in Semiconductor Processing、Elsevier、241-245
S. Hahn, Franziska Christine Beyer, Andreas Gällström, Patrick Carlsson, Anne Henry, Björn Magnusson, J.R. Niklas, Erik Janzén
半絶縁性 6H-SiC バルク材料
の非接触電気的欠陥特性評価 Mater. Sci. Forum 600-603, 405 (2009)。
S. Hahn、K. Dornich、T. Hahn、A. Köhler、J.R. Niklas、P. Schwesig、G. Müller
アニール済みSI InP
ウェハーの非接触欠陥調査 『Material Science in Semiconductor Processing』 9、Elsevier、355-358
K. Dornich、T. Hahn、J.R. Niklas