薄い層や表面の高度な材料研究が可能：破壊がなく、柔軟で速い
高度な電子検出システムにより高感度
最大4つの異なる波長用にカスタマイズされたレーザーと光学系
最大25サンプルの自動温度依存測定および/またはアニーリングステップ
素材
SPSmap Heatは、多彩で魅力的なレーザーを幅広く取り揃えており、ほぼすべての半導体の電気的特性評価を可能にします
Perovskite Si SiC Ge GaAs InP Ga₂O₃ Diamond
特長と利点
355...1550 nm
利用可能な波長
0.1 mm
空間分解能
10ナノ秒
時間分解能
最大
25サンプル
自動測定および加熱シーケンス
用途
技術仕様
| サンプルサイズ | 厚さ25 mmまでのウェーハまたは薄板、5 x 5 mm²～160 x 160 mm、正方形のウェーハ |
|---|---|
| 励起 | 337 nm から 1550 nm までの範囲から最大 4 つの異なる波長を選択可能（デフォルトは 980 nm） |
| 材料 | ペロブスカイトまたは任意の光活性材料（ご使用の材料に関するご相談は弊社までお問い合わせください） |
| 測定可能 | 時間分解および温度依存性の表面光起電力測定 |
| 外形寸法 | 750 x 835 x 660 mm |
| 重量 | 約 120 kg |
| 電源 | 100 - 250V、50/60 Hz、5 A |
| 解像度 | 100 µm |
