MDP（マイクロ波検出型光伝導度）：移動する光起電力キャリアに敏感（バルク特性）
SPV（表面光起電力）：空間的に分離されたあらゆる光起電力キャリア（移動中または捕捉されたもの）に関して、表面およびバルク特性に敏感
MDP法は、中程度のドーピングを受けた半導体、またはほぼ完全な光学結晶にのみ適用される
SPV法は、空間的に電荷分離が可能なあらゆる光活性材料（半導体、多層および多接合構造、分子層、粉末）に適用可能
MDP法は、時間依存抵抗測定（DC）、tMDPとしてモデル化できる
SPV法は、周波数および時間依存の静電容量測定（DC/変調）としてモデル化でき、tSPVと呼ばれる
非理想的な半導体（欠陥を含む）の場合、これら2つの手法の間には大きな違いが生じることがあるが、いずれの手法もバルク特性と表面特性に関する補完的な情報を提供する
