ウェハプロセスおよびフロントエンドプロセスにおけるウェハプロパティの分析
ウェハーの表面付近の特性は、その後のプロセスの成否を左右する重要な要素となります。この重要な段階において歩留まりの低下を防ぐためには、構造的および電子的な状態を厳密に管理することが不可欠です。
XRDシリーズを使用することで、結晶切断を精密に制御し、日々のデバイス加工において一貫した品質を確保できます。MDPシリーズおよびHR-SPSシリーズを使用すれば、光によって生成された電荷キャリアの再結合挙動をモニタリングできます。
このアプローチは、オプトエレクトロニクスからパワーデバイス、ロジックデバイスに至るまで、幅広い用途に対応します!

主な利点
手動または自動
研究開発(R&D)であれ品質管理であれ、当社は計測機器を自動化ソリューションに統合する柔軟性を提供するとともに、コスト効率に優れ、効率的なスタンドアロンシステムの設計も行っています。
最高精度
精度、スピード、そしてモジュール性を兼ね備えた、他社にはない独自の強みが当社の特徴です。ぜひお客様の用途で当社の手法を試してみてください。その成果をぜひご体感ください!
素材の柔軟性
当社は、バンドギャップを持つほぼすべての薄膜およびバルク材料システムに対応するソリューションを提供しています。お客様のプロセス要件をお聞かせください。私たちは常に革新的な取り組みに挑み続けています!
オンサイト・サービスとトレーニング
当社のオンサイト研修プログラムにご参加いただき、総所有コスト(TCO)を削減しましょう!場所やアクセス環境の制約にかかわらず、お客様がご自身の工具に対して一次・二次メンテナンスを自ら行えるようサポートいたします。これにより、稼働率を最大限に高め、プロセスを完全に管理できるようになります。
前工程のオフカット管理
前工程において、ウェーハの端材の混入を100%管理してください。これにより、SiCやInP基板などの材料から端材を排除することができ、エピタキシー、リソグラフィー、イオン注入において最適な結果が得られます。
単結晶ロッキングカーブ
オプションモジュールを使用することで、X線計測における重要な機能を有効にできます。X線ロッキングカーブを用いたベースライン品質管理を実施し、SiCウェハーのFWHMを分析します。