MDPmapを使用すれば、注入依存の寿命曲線だけでなく、非常に広い注入範囲にわたる光伝導度曲線も測定することが可能です。
MDPmapおよびMDPingotには最大4つの異なるレーザーを統合できるため、注入依存の寿命曲線だけでなく、非常に広い注入範囲にわたる光伝導度曲線の測定も可能となります。 図 1 は、既知のさまざまな寿命測定法の代表的な注入範囲の比較を示しています。MDPmap および MDPingot は、その並外れた感度により、7 桁以上の注入範囲にわたって測定を行うことができます。バイアス光および反射測定により、精度を大幅に向上させることができました。
図2に示すように、SiNxパッシベーションを施したmc-Siウェハ上の2つの異なるスポットにおいて、MDPmapを使用することで、重要な注入電流範囲全体を単一の手法でカバーすることが可能です。これまでは、互いに比較できない場合が多い複数の異なる手法を使用する必要がありました。 MDPを用いることで、重要な注入依存寿命曲線への容易なアクセスが可能となります。
詳細については、以下をご参照ください：
[1] S. Rein, 『Lifetime Spectroscopy - A Method of Defect Characterization in Silicon for Photovoltaic Applications』, Vol. 85 (Springer, Berlin Heidelberg, 2005)
Bulklifetime versus injection for a varying symmetry factor and energy level
Fig. 1: Comparison of typical injection ranges of different measuring methods Fig. 2: injection dependent lifetime measurements on 2 different spots on a SiNx passivated mc-Si wafer
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