고급 R&D - 파괴가 없고 유연하며 빠름
첨단 마이크로파 시스템으로 인한 고감도
모든 재료에 대한 맞춤형 레이저 및 광학 통합
동시 저항률 측정 및 기타 옵션
재료
MDPmap은 다양한 종류의 첨단 레이저를 갖추고 있어, 거의 모든 유형의 반도체에 대한 포괄적인 전기적 특성 분석을 가능하게 합니다.
기능 및 장점
355-1550nm
사용 가능한 파장
10ns
시간 분해능
> 99 %
재현성
저항률
0.3-5
옴·cm
R&D 또는 생산 모니터링을 위한 유연한 매핑 도구
MDPmap은 오프라인 생산 관리 또는 연구 개발을 위한 소형 벤치탑 비접촉식 전기적 특성 분석 장비로 설계되었으며, 정상 상태 또는 단파장 펄스 여기(μ-PCD) 조건에서 광범위한 주입 범위 전반에 걸쳐 캐리어 수명, 광전도도, 저항률 및 결함 정보와 같은 매개변수를 측정합니다. 자동화된 시료 인식 및 파라미터 설정 기능을 통해, 성장 직후 웨이퍼부터 최대 95%까지 금속화 처리된 웨이퍼에 이르기까지 다양한 전처리 단계를 거친 에피택셜 층 및 웨이퍼 등 광범위한 시료에 쉽게 적용할 수 있습니다.
MDPmap의 주요 장점은 높은 유연성으로, 이를 통해 예를 들어 초저 주입에서 고주입에 이르는 주입 수준에 따른 수명 측정을 수행하거나 서로 다른 레이저 파장을 사용하여 깊이 정보를 추출하기 위해 최대 4개의 레이저를 통합할 수 있습니다. 바이어스 라이트 기능은 물론 μ-PCD 또는 정상 상태 주입 조건에 대한 옵션도 포함되어 있습니다. 사용자가 정의한 다양한 맵을 활용한 계산이 가능하며, 추가 분석을 위한 원시 데이터 내보내기 기능도 제공됩니다. 표준 계측 작업의 경우, 사전 정의된 표준을 통해 버튼 하나만 누르면 일상적인 측정을 수행할 수 있습니다.
Lifetime map of passivated multicrystalline silicon
Iron contamination map of multicrystalline silicon
Bor oxygen map of mono silicon
Trap density map of mono silicon
적용 분야
기술 사양
| 샘플 크기 | 직경 최대 300 mm(표준), 직경 최대 450 mm(요청 시), 최소 5 x 5 mm |
|---|---|
| 수명 범위 | 20 ns ~ 수 ms |
| 저항률 | 0.2 - >103 옴·cm, p/n |
| 소재 | 실리콘 웨이퍼, 에피택셜 층, 부분 또는 전체 가공 웨이퍼, 화합물 반도체 및 그 외 |
| 측정 가능한 특성 | 수명 - μ-PCD/MDP (QSS), 광전도도 |
| 여기 | 355 nm에서 1480 nm까지 최대 4개의 서로 다른 파장을 선택할 수 있습니다. 980 nm (기본값) |
| 치수 | 680 x 380 x 450 mm, 무게: 약 65 kg |
| 전원 | 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A |
