MDPmap 및 MDPingot을 사용하면 광범위한 주입 범위에서 단 한 번의 측정만으로 광전도도와 소수 캐리어 수명을 완전히 자동화된 방식으로 측정할 수 있습니다. 정교한 알고리즘을 통해 시료 내 트랩 농도를 파악할 수 있습니다.
주입 의존성 수명 곡선을 통해 저주입 조건에서의 수명 τLLI를 구할 수 있으며, 광전도도는 HORNBECK과 HAYNES의 모델을 약간 수정한 것으로 피팅됩니다. 트랩 밀도 NT와 활성화 에너지 EA가 피팅 매개변수입니다.
mc-Si 및 Cz-Si 웨이퍼를 대상으로 초기 측정 결과를 얻었으며, 트랩 밀도와 전위 밀도 간의 상관관계를 확인할 수 있었습니다.
\(\Delta\delta = e[\tau_{LLI}G_{opt}(\mu_{n}+\mu_{p})+\Delta n_{T}\mu_{p}]\)
MDPmap을 사용하면 주입 전류에 따른 광전도도 및 수명 곡선을 고해상도로 측정할 수 있어, 트랩 밀도와 트랩 센터의 활성화 에너지를 결정할 수 있습니다. 이를 통해 트랩의 기원을 규명하고, 예를 들어 태양전지의 효율에 미치는 영향을 조사할 수 있습니다.
자세한 내용은 다음 문헌을 참조하십시오:
[1] J. A. Hornbeck 및 J. R. Haynes, Physical Review 97, 311-321 (1955)[2] D. Macdonald 및 A. Cuevas, Applied Physics Letters 74, 1710 - 1712 (1999)
[3] N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, 제25회 PVSEC 발렌시아 (2010) 343-346
Photoconductivity versus Gopt for different trap densities and fit of measured photoconductivity curve
관련 솔루션 및 산업: 에피택셜 레이어 및 박막, 태양광 발전, 연구 및 개발
