Steffen Fengler 외. 변조 표면 광전압 분광법을 이용한 고압·고온 다이아몬드 내 결함의 유효 흡수 단면적 연구, Phys. Status Solidi A 2025
A.S. Kovali, M. Demant, B. Rebba, N. Schüler, J. Haunschild, S. Rein
MDP 브릭 특성화를 통한 실리콘 잉곳의 초기 단계 품질 평가
Jan Beyer, Nadine Schüler, Jürgen Erlekampf, Birgit Kallinger, Patrick Berwian, Kay Dornich, Johannes Heitmann
, 시간 분해 광발광 및 마이크로파 검출 광전도도를 이용한 4H-SiC 에피웨이퍼의 소수 캐리어 수명 측정
Paul M. Jordan, Daniel K. Simon, Franz P.G. Fengler, Thomas Mikolajick, Ingo Dirnstorfer
Si 기판 상의 Al2O3 화학적 및 전계 효과 패시베이션의 2차원 매핑
Paul M. Jordan, Daniel K. Simon, Thomas Mikolajick, Ingo Dirnstorfer
BiasMDP: 바이어스 전압을 적용한 캐리어 수명 특성 분석 기법
N. 슐러, B. 베르거, A. 블룸, K. 도르니히, J.R. 니클라스 MDP를 이용한 P형 도핑 다결정 브릭 내 철의 고해상도 인라인 지형 분석
K. 도르니히, N. 슐러, J.R. 니클라스 가변 펄스 길기를 이용한 주입 의존성 수명 분광법
K. Dornich, N. Schüler, B. Berger, J.R. Niklas MDP를 이용한 태양광 응용을 위한 빠르고 고해상도의 인라인 비접촉식 반도체 특성 분석
Bastian Berger, Nadine Schüler, Sabrina Anger, Bianca Gründig-Wendrock, Jürgen R. Niklas, Kay Dornich
: 마이크로파 검출 광유도 전류 과도 분광법(MD-PICTS) 및 마이크로파 검출 광전도도(MDP)를 이용한 반도체 내 비접촉 전기적 결함 특성 분석
N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich 및 J.R. Niklas:
마이크로파 검출 광전도도를
이용한 P형 도핑 실리콘의 트래핑 매개변수 공간 분해 측정 제25회 EUPVSEC, 스페인 발렌시아
N. Schüler, D. Mittelstrass, K. Dornich 및 J.R. Niklas:
비접촉 광전도도 측정을
이용한 다결정 실리콘의 전도형 변화에 대한 고해상도 인라인 검출 제35회 IEEE 태양광 전문가 컨퍼런스, 하와이 호놀룰루
N. Schüler, D. Mittelstrass, K. Dornich, J.R. Niklas 및 H. Neuhaus:
태양광용
다결정 실리콘 브릭에 대한 차세대 인라인 소수 캐리어 수명 계측, 제35회 IEEE 태양광 전문가 회의, 하와이 호놀룰루
N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas:
반도체
전기적 특성 분석을 위한 다목적 시뮬레이션 도구 및 새로운 측정 방법, Solid State Phenomena 156-158, 241-246 (2010)
N. Schüler, T. Hahn, S. Schmerler, S. Hahn, K. Dornich 및 J.R. Niklas:
정상태 및 비정상태 측정을
위한 광전도도 및 수명 시뮬레이션, Journal of Applied Physics 107 (2010), 064901
N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, B. Gründig-Wendrock:
두꺼운 실리콘 시료를
위한 비접촉 수명 측정 방법의 이론적 및 실험적 비교, Solar Energy Materials & Solar Cells 94 (2010), 1076-1080
K. Dornich, N. Schüler, D. Mittelstraß, A. Krause, B. Gründig-Wendrock, K. Niemietz 및 J.R. Niklas:
태양광용 다결정 실리콘에 대한 새로운
공간 분해능 인라인 계측법 (제24회 EU PVSEC 회의록에 게재 예정)
S. Schmerler, T. Hahn, S. Hahn, J.R. Niklas, B. Gründig-Wendrock:
SI-GaAs에서 양의 및 음의 PICTS 피크에 대한 설명, J. Mater Sci: Mater Electron
T. Hahn, S. Schmerler, S. Hahn, J.R. Niklas:
일반화된 속도 방정식을
이용한 수명 및 결함 분광 측정 해석 J. Mater Sci: Mater Electron (2008) 19:S79-S82
K. Niemietz, K. Dornich, M. Gosh, A. Müller, J.R. Niklas
: 저 주입 수준에서 mc-Si의 전기적 특성 및
결함 분광학에 대한 비접촉 조사 제21회 유럽 태양광 에너지 컨퍼런스, p. 361-364
K. Dornich, K. Niemietz, Mt. Wagner, J.R. Niklas
MD-PICTS를
이용한 실리콘의 비접촉 전기적 결함 특성 분석 Material Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 241-245
S. Hahn, Franziska Christine Beyer, Andreas Gällström, Patrick Carlsson, Anne Henry, Björn Magnusson, J.R. Niklas, Erik Janzén
반절연성 6H-SiC 벌크 물질의
비접촉식 전기적 결함 특성 분석 Mater. Sci. Forum 600-603, 405 (2009).
S. Hahn, K. Dornich, T. Hahn, A. Köhler, J.R. Niklas, P. Schwesig, G. Müller
어닐링된 SI InP
웨이퍼의 비접촉 결함 조사, 《반도체 공정의 재료 과학》 9, 엘스비어, 355-358
K. Dornich, T. Hahn, J.R. Niklas