MD-PICTS - 마이크로파 감지 광 유도 전류 과도 분광법
MD-PICTS는 MDP를 개량한 기법으로, 과도 현상의 결함 부분에 대한 온도 의존적 측정을 수행합니다. 이를 통해 공간 분해능을 갖춘 결함 특성 분석이 가능해집니다. DLTS(심층 과도 분광법)와 유사하게, 결함의 활성화 에너지와 포획 단면적을 측정할 수 있습니다. 그러나 DLTS와 달리 별도의 접촉이 필요하지 않습니다. 이는 결함 식별 및 재료 품질 개선에 매우 유용합니다.
Fig. 1: example of a MD-PICTS spectrum of different tempered Cz—Si wafers
이 방법에 대해 더 자세히 알고 싶다면 다음 문헌을 참고하십시오:
B. Grundig-Wendrock, M. Jurisch, 및 J. R. Niklas, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology 91, 371-375 (2002)
S. Hahn, F. Beyer, A. Gällström, P. Carlsson, A. Henry, B. Magnusson, J. R. Niklas, 및 E. Janzen, Materials Science Forum 600-603, 405-408 (2009)
K. Dornich, K. Niemietz, Mt. Wagner, J.R. Niklas, 반도체 공정의 재료 과학, Elsevier, 241-245
Bastian Berger, Nadine Schüler, Sabrina Anger, Bianca Gründig-Wendrock, Jürgen R. Niklas, Kay Dornich, 마이크로파 검출 광유도 전류 과도 분광법(MD-PICTS) 및 마이크로파 검출 광전도도(MDP)를 이용한 반도체의 비접촉식 전기적 결함 특성 분석
